近日，国投创业完成对第三代半导体碳化硅单晶衬底领军企业河北同光晶体有限公司（简称“同光晶体”）A轮投资，助力公司实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。国投创业持续加码第三代半导体，打造衬底、外延、芯片、器件、应用等产业链投资生态。

图：同光晶体办公楼

国投创业认为，伴随5G、电动汽车等技术的发展，碳化硅行业相关企业将迎来快速成长机会。同光晶体在第三代半导体衬底领域拥有丰富的技术积累及人才储备，有助于加快国产化替代，具有良好的市场前景。国投创业将充分发挥资本纽带和产业聚合效应，持续优化布局产业链生态，助力我国第三代半导体行业进一步提升综合竞争力。

第三代半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。碳化硅衬底位于第三代半导体产业链的最上游，是制造通信射频芯片、高端电力电子器件（如MOSFET、IGBT等）的核心材料，其下游产品广泛应用在5G基站、新能源汽车、高速铁路、新型电网中，其技术长期被国外企业垄断和禁运。

图：第三代半导体产业链

自2012年成立以来，同光晶体致力于第三代半导体碳化硅单晶衬底制备技术的自主研发与创新，已建成粉料合成、晶体生长、切割加工、晶体检测的完整产线，年产4-6英寸碳化硅衬底数万片，是国际上少数同时掌握高纯半绝缘衬底和导电型衬底制备技术的企业。

图：同光晶体生产车间

同光晶体多年来连续承担国家“863”计划、国家重点研发计划、国家技术改造工程、河北省重点研发计划等各级科研课题、项目二十余项，与北京大学、清华大学等多所知名高校成立联合实验室，并建有院士工作站，引进李树深、夏建白、郑厚植等三位半导体领域院士指导公司技术创新方向。

图：高纯半绝缘碳化硅晶体和衬底

同光晶体将高品质碳化硅单晶衬底成功应用到我国5G基站建设中，打破行业壁垒，加速实现国产替代。公司的4英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造高端射频芯片，其各项技术指标均达到国际先进水平；在导电型衬底方面，同光晶体取得工程化关键技术突破，其6英寸产品满足电力电子器件的各方面技术要求，已具备批量生产条件，并在知名客户处形成应用。

近年来，国投创业从国家创新战略和科技成果转化逻辑出发，重点关注5G、新能源等新基建领域投资机遇，紧扣国家重大科技项目主线，坚持“自上而下、自难而易”支持布局产业链上游企业，支持第三代半导体应用领域快速发展。